细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
制作碳化硅设备
又一巨头建设8英寸SiC产线，已采购这家国产设备 今年一季度
2024年3月20日 作为国内SiC电阻法长晶设备领域的先行者和探索者，优晶科技持续开拓进取，不断精进大尺寸碳化硅长晶技术，帮助更多的企业顺利从6英寸向8英寸转型，助 2023年2月15日 摘要 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 电子工程专辑 EE
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介 2022年3月22日 2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 95 亿元 人民币，总建筑面积 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
2023年9月27日 SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表 2023年2月26日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延
2023年9月14日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市 2023年2月27日 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅
2023年5月21日 采用PTV法生长碳化硅晶体的设备为长晶炉，该设备在保证满足设计技术要求基础上，还要注意到长晶炉部件在碳化硅晶体生长中经历的苛刻条件，例如：晶体生长室及石墨坩埚等热场核心组件需具备 知乎专栏提供一个平台，让用户随心所欲地进行写作和表达自己的观点。知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2023年9月27日 但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用，因此当前SiC晶圆制造产能紧缺。SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的一些差异点主要在于： （1）光刻对准。碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延
2023年9月14日 SiC：需求乘“车”而起，材料设备商迎国产化机遇 2 1、关键假设、驱动因素及主要预测 关键假设： 1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。驱动因素： 1）新能源汽车渗透率持续提升，我们预计未来三年全球装机量CAGR约30%。2023年2月27日 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
知乎 有问题，就会有答案
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
SiC刻蚀环——半导体等离子刻蚀机的关键部件 艾邦半导体网
图 固体碳化硅聚焦环，来源：东海碳素 在半导体设备用碳化硅零部件领域，行业内企业一般均采用化学气相沉积（CVD）法进行生产。 通常聚焦环是通过气相沉积的方法将化学反应生成的碳化硅沉积成一定的形状，然后根据具体使用条件，将呈一定形状的碳化硅进行机械加工 碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。 为让大家更加了碳化硅产业链，今天给大家盘点一下国内碳化硅衬底生产企业，据初步统计，国内共20余家碳化硅衬底企业，主要分布在浙江、广东、山西等地。 SiC国内供应商分布图 SiC国内省份 国内SiC碳化硅衬底20强 艾邦半导体网
一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置 专利顾如
一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置 CN Patent CNA, filed Sep 15, 2021, and issued Mar 17, 2023 复制 巴赛 and 胡凡 and 巩小亮 and 林伯奇 and 龙长林 20232022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括：以上就是制作碳化硅芯片的详细工艺流程。这个过程需要高精度设备和技术，每个步骤都需要精心设计和操作。制作出高质量的碳化硅芯片对于提高电子产品的性能有着重要的意义。 2 切割基板：将大块基板切割成适当大小的小块，以便后续加工。 3制作碳化硅芯片的工艺流程 百度文库
一种多片装载的碳化硅外延生长设备的制作方法 X技术网
2020年5月1日 本发明涉及碳化硅外延生长技术领域，尤其涉及一种多片装载的碳化硅外延生长设备。背景技术碳化硅外延生长是指在碳化硅衬底上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。生长外延层的方法有多种，其中最常用的是气相外延工艺，具体是把衬底放在反应 2022年3月22日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
一种研磨设备中碳化硅研磨桶的制造方法 X技术网
2013年12月25日 1一种研磨设备中碳化硅研磨桶的制造方法，其特征在于:包括以下步骤: 1)、配料 将碳化硅加入反应催化剂和添加剂，边搅拌边加水，搅拌均匀成浆状或粉状物料； 2)、素坯成型 将浆状或粉状物料采用模具通过注浆成型或静压成型等生产出相应规格大小的 2024年5月17日 在下游需求刺激下，近两年中国碳化硅外延片生产商掷出了数倍的扩产计划，我国碳化硅外延设备市场规模持续增长。 中商产业研究院发布的《20242030年中国碳化硅外延片行业市场发展现状及潜力分析研究报告》显示，2023年中国碳化硅外延设备市场规模约1307亿元。2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图）
碳化硅晶体生长设备的制作方法 X技术网
本发明涉及一种用于PVT法生长碳化硅晶体的碳化硅晶体生长设备。背景技术碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质，可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、高科技、工业生产、供电 2023年7月25日 本申请涉及碳化硅化学气相沉积设备，具体的涉及一种用于碳化硅外延设备的液态源物质鼓泡器及供气系统。背景技术： 1、碳化硅外延设备常用的液态源物质，包括三氯氢硅(trichlorosilane,tcs)，其以液态形式存储、运输、补充添加，在外延工艺过程中需要以气态形式参与到工艺反应过程。一种用于碳化硅外延设备的液态源物质鼓泡器及供气系统的
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅
2023年5月21日 采用PTV法生长碳化硅晶体的设备为长晶炉，该设备在保证满足设计技术要求基础上，还要注意到长晶炉部件在碳化硅晶体生长中经历的苛刻条件，例如：晶体生长室及石墨坩埚等热场核心组件需具备 知乎专栏提供一个平台，让用户随心所欲地进行写作和表达自己的观点。知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2023年9月27日 但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用，因此当前SiC晶圆制造产能紧缺。SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的一些差异点主要在于： （1）光刻对准。碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
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2023年9月14日 SiC：需求乘“车”而起，材料设备商迎国产化机遇 2 1、关键假设、驱动因素及主要预测 关键假设： 1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。驱动因素： 1）新能源汽车渗透率持续提升，我们预计未来三年全球装机量CAGR约30%。2023年2月27日 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
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