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细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。

硅石油中杂质对系统有无损害

  • 高纯硅中杂质元素的质谱与非质谱分析方法综述

    根据杂质的不同属性,对高纯硅中杂质的质谱及非质谱分析测定方法进行了分类与综述,分析了各种方法的优缺点及应用现状。 金属杂质元素的测定方法主要有辉光放电质谱法 2023年12月17日  WSi基阳极中的微量金属杂质会自发发生电化学腐蚀反应,导致电池中金属枝晶的形成和电解液的分解。 导致电池性能不稳定,容易出现安全隐患。 该研究成果 光伏硅废料中的杂质对锂离子电池负极性能的决定性作用

  • 太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除 百度文库

    2011年5月18日  多晶硅生产中的主要杂质有Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、B、P、Cr、C等,其中B、P杂质是生产中很难去除的两种杂质,这两种杂质残留在多晶硅中会作为复合 多晶硅生产系统,无论是氢气、硅粉还是三氯氢硅,都是不可避免的碳杂质。在多晶硅体系中,碳杂质处于循环平衡状态,多晶硅生产系统中如果没有氯氢硅的直接损失,很难去除 浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除中国期刊网

  • 硅纳米结构晶体管中与杂质量子点相关的量子输运

    在小于10 nm的沟道空间中, 杂质数目和杂质波动范围变得十分有限, 这对器件性能有很大的影响 局域纳米空间中的电离杂质还能够展现出量子点特性, 为电荷输运提供两个分立的杂质能级因此,研究硅中金属杂质与缺陷具有重要的理论意义和实际应用背景,也是适应硅太阳电池低成本、高效率的发展趋势的必然要求。太阳电池用晶体硅中金属杂质与缺陷的相互作用研究 百度学术

  • 工业硅中杂质相的微观结构及分布规律研究

    2023年12月14日  由于精炼前工业硅的Ca和Al含量较高,其杂质相主要以Si2Al2Ca、SiAlCa和Si8Al6Fe4Ca等为主;而精炼后Fe为主要元素,故其析出相主要包括FeSi2 (Al) 2015年8月31日  一般情况下,如果某金属杂质的浓度低于该金属在硅晶体中的固溶度,它们可以以间隙态或替位态形式的单个原子存在,对于硅中金属杂质而言,大部分金属原子 太阳能发电硅材料中的金属杂质太阳能发电

  • Quantum transport relating to impurity quantum dots in

    2019年12月14日  利用杂质原子作 为量子输运构件的硅纳米结构晶体管有望成为未来量子计算电路的基本组成器件 本文结合安德森定域化 理论和Hubbard带模型对单个、分立和耦 2016年11月3日  系统标签: sio 工艺 集成电路制造 杂质 习题 电荷 1 第二单元习题解答 1SiO2膜网络结构特点是什么? 氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什 么? 对SiO2膜性能有哪些影响? 二氧化硅的基本结构单元为SiO四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个 集成电路集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2

  • 重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响研究 百度学术

    摘要: 硅外延过程中,反应系统中会有掺杂杂质存在,这些杂质如果在反应过程中没有得到有效处理,进入外延层,会出现自掺杂效应,影响硅外延反应效果反应完成之后,反应腔室内残留的掺杂杂质需要进行相应处理常用的HCl高温刻蚀无法完全清除杂质,这些难以 2011年10月31日  对单晶硅片做750℃~1050℃3h单步退火后,在硅衬底中生成的氧沉淀很少,电池效 率下降幅度不大。经过低高温两步退火会在单晶硅基体内引入大量氧沉淀,电池效率大 幅降低。高温短时间退火无论有无预处理都不会在硅基体内引入大量氧沉淀。低温预 太阳电池用晶体硅中的氧和金属杂质对电池性能的影响 豆丁网

  • 液压油中杂质对系统有无损害

    2005年6月13日  经对配流盘。2 防止固体杂质混入液压系统 清洁的液压油是液压系统的生命。液压系统中有许多。液压油清理杂质 液压油清理杂质,中石达液压油清理杂质,液压油净油机,液压油清理杂质产品优点:提高油液品质,恢复润滑油粘度、闪点及使用性能。直拉硅单晶中的品质主要受原料、辅料及拉晶工艺的影响。 其中杂质主要来源于多晶硅原料和辅料(其包括石英埚、碳毡、石墨件等),当原料和辅料确定后,最终晶体内的杂质含量及分布由生长工艺直接决定。 32结果分析 (1)氧杂质含量 如图3,三种方案 直拉法硅单晶中晶转对杂质含量的影响 百度文库

  • 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

    第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 • 半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要 的影响。 半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、 锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶 具有一定的电学参数和晶体的完整性。 • 单晶的电学参数通常是采用掺杂的 2020年10月16日  润滑油机械杂质对设备有什么危害?润滑油中含机械杂质、水的特征辨别及危害机械杂质机械杂质是指石油或石油产品中 不溶于油和规定溶剂的沉淀或悬浮物,如泥砂、尘土、铁屑、纤维和某些不溶性盐类。机械杂质可用沉淀或 百度首页 商城 润滑油机械杂质对设备有什么危害?百度知道

  • 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

    • • 1.杂质对材料导电类型的影响 当材料中共存施主和受主杂质时,它们将相互发生补偿, 材料的导电类型取决于占优势的杂质。例如,在锗、硅材 料中,当Ⅲ族杂质元素在数量上占优势时,材料呈现P型, 反之当V族元素占优势时则呈现N型。半导体制造工艺之硅的氧化概述 SiO2的相对介电常数为39SiO2的主要性质(3) 腐蚀:化学性质非常稳定,只与氢氟酸发 生反应 还可与强碱缓慢反应 薄膜应力为压应力返回22 SiO2的掩蔽作用 221 杂质在SiO2中的存在形式 杂质在SiO2中的存在形式半导体制造工艺之硅的氧化概述 百度文库

  • 浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除中国期刊网

    多晶硅生产系统,无论是氢气、硅粉还是三氯氢硅,都是不可避免的碳杂质。 在多晶硅体系中,碳杂质处于循环平衡状态,多晶硅生产系统中如果没有氯氢硅的直接损失,很难去除系统中的碳杂质,从而增加多晶硅产品中替代碳的浓度。 为了降低产品中替代碳 对单晶硅片做750℃~1050℃3h单步退火后,在硅衬底中生成的氧沉淀很少,电池效率下降幅度不大。经过低高温两步退火会在单晶硅基体内引入大量氧沉淀,电池效率大幅降低。高温短时间退火无论有无预处理都不会在硅基体内引入大量氧沉淀。太阳电池用晶体硅中的氧和金属杂质对电池性能的影响

  • 液压油中杂质对系统有无损害

    2021年11月29日  液压系统常见故障百度百科在液压传动系统中,都是一些比较精密的零件。人们对机械的液压传动虽然觉得省力方便,但同时又感到它易于损坏。究其原因,主要是不太清楚其工作原理和构造特性,从而也不大了解其预防保养的方法。液压系统有3个基本的“致病”因素:污染、过热和进入空气。目前国内外对于富氢合成气中CO对PEM燃料电池性能影响的研究比较充分。 大家普遍认为CO会吸附在燃料电池的催化剂中,导致燃料电池性能的严重下降。 为防止CO影响燃料电池的性能,合成气中CO的体积含量需控制在10 × 10-6以内[5-8],这也是在本课题组所研发 富氢合成气中杂质气体对质子交换膜燃料电池性能的影响

  • 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质

    2020年12月6日  文档简介 1、第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。 半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺 2022年8月22日  关键设备腐蚀、相关产品杂质含量高等。因此,有效应 对杂质的影响成为废塑料产业化回收利用所面临的关 键问题之一。其中,硅、氯是废塑料中含量较高的杂质 元素,因此本文重点介绍废塑料化学回收过程中杂质 硅、氯的赋存状态及对回收过程的影响,并对废塑料热解油中杂质硅、氯的影响及应对策略探讨

  • 液压油中杂质对系统有无损害

    2014年9月7日  更多关于液压油中杂质对系统有无损害的问题;; 浅谈润滑油故障对氨压缩制冷系统的影响 技术培训 中国计量2013年6月13日分析了氨压缩制冷系统的润滑油部分统在运行过程中系统出现的故障,并总结了油量少,所以发生油气压差下降;齿轮油泵吸入有杂质的油,使入口被堵塞;油液压系统中混进了空气有哪些危害百度知道 液压系统中混进了空气有哪些危害? 1 液压油中如果进入了空气会有什么危害? 如何预防? 3 液压系统混入空气,水和杂质有哪些危害 液压系统中混入空气,对系统工作有何影响? 可采取哪些方法防范?液压油中杂质对系统有无损害

  • 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

    半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质 页,共61页。 f杂质能级 • 杂质对硅、锗电学性质的影响与杂质的类型和它们的能级在禁带中的位 置等有关。 • 硅、锗中的杂质大致可分为两类:一类是周期表中Ⅲ族或V族杂 质,它们的电离能低,对材料的电导率 2016年11月3日  系统标签: sio 工艺 集成电路制造 杂质 习题 电荷 1 第二单元习题解答 1SiO2膜网络结构特点是什么? 氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什 么? 对SiO2膜性能有哪些影响? 二氧化硅的基本结构单元为SiO四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个 集成电路集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2

  • 重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响研究 百度学术

    摘要: 硅外延过程中,反应系统中会有掺杂杂质存在,这些杂质如果在反应过程中没有得到有效处理,进入外延层,会出现自掺杂效应,影响硅外延反应效果反应完成之后,反应腔室内残留的掺杂杂质需要进行相应处理常用的HCl高温刻蚀无法完全清除杂质,这些难以 2011年10月31日  对单晶硅片做750℃~1050℃3h单步退火后,在硅衬底中生成的氧沉淀很少,电池效 率下降幅度不大。经过低高温两步退火会在单晶硅基体内引入大量氧沉淀,电池效率大 幅降低。高温短时间退火无论有无预处理都不会在硅基体内引入大量氧沉淀。低温预 太阳电池用晶体硅中的氧和金属杂质对电池性能的影响 豆丁网

  • 液压油中杂质对系统有无损害

    2005年6月13日  经对配流盘。2 防止固体杂质混入液压系统 清洁的液压油是液压系统的生命。液压系统中有许多。液压油清理杂质 液压油清理杂质,中石达液压油清理杂质,液压油净油机,液压油清理杂质产品优点:提高油液品质,恢复润滑油粘度、闪点及使用性能。直拉硅单晶中的品质主要受原料、辅料及拉晶工艺的影响。 其中杂质主要来源于多晶硅原料和辅料(其包括石英埚、碳毡、石墨件等),当原料和辅料确定后,最终晶体内的杂质含量及分布由生长工艺直接决定。 32结果分析 (1)氧杂质含量 如图3,三种方案 直拉法硅单晶中晶转对杂质含量的影响 百度文库

  • 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

    第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 • 半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要 的影响。 半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、 锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶 具有一定的电学参数和晶体的完整性。 • 单晶的电学参数通常是采用掺杂的 2020年10月16日  润滑油机械杂质对设备有什么危害?润滑油中含机械杂质、水的特征辨别及危害机械杂质机械杂质是指石油或石油产品中 不溶于油和规定溶剂的沉淀或悬浮物,如泥砂、尘土、铁屑、纤维和某些不溶性盐类。机械杂质可用沉淀或 百度首页 商城 润滑油机械杂质对设备有什么危害?百度知道

  • 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

    • • 1.杂质对材料导电类型的影响 当材料中共存施主和受主杂质时,它们将相互发生补偿, 材料的导电类型取决于占优势的杂质。例如,在锗、硅材 料中,当Ⅲ族杂质元素在数量上占优势时,材料呈现P型, 反之当V族元素占优势时则呈现N型。